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第四章 优化MOSFET模型（第3页）

要知道此时离1985年过去了十三年。

远在旧金山湾区的胡正明教授，每天早上和往常一样，先查阅一遍自己的邮箱。

电子邮箱已经有十来年的历史，这十来年里，受益于电子邮箱，来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。

对于胡正明来说，每天到办公室的第一件事，也从查收纸质邮件，变成了查收电子邮件。

一封名为MOSFET模型优化的邮件，很快吸引了他的注意。

毕竟作为该模型的创造者，胡正明本人也希望能够进一步优化它。

可惜不管是他本人，还是其他科学家，都没有谁能够从数学模型的角度，对MOSFET进行优化。

“……这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。

器件寿命与I－2sub9I1d9ΔV15t成正比。

如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大，则τ会变小。

因此，Isub（可能还有光发射）是τ的有力预测因子。

已发现比例常数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。

一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。

描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”

因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了MOSFET退化的本质。

越是简单的模型，越难进行优化。

但是这封邮件，为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。

优化后的数学模型，能够解释更多的现象，从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。