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第83章 第一次突破（第1页）

倒计时第28天，清晨六点。

实验室的灯光己经持续亮了二十二个小时。

空气循环系统发出低沉的嗡鸣，试图驱散化学试剂残留的淡淡气味。

中央走廊的白板上，红笔划掉的日期又增加了一行。

林凡站在材料合成区的观察窗前，眼睛紧盯着反应釜内的变化。

透明的石英反应器里，淡蓝色的溶液正在缓慢旋转，温度稳定在零下一百五十度。

这是拓扑绝缘体前驱体合成的关键第三步——低温相变诱导。

“晶格畸变率多少？”

他问。

操作台前的年轻研究员盯着屏幕，声音有些紧张：“3.7%，还在上升……3.9%……4.2%……林顾问，超过5%的阈值了！”

按照郑工的优化方案，这一步的晶格畸变率必须控制在5%以内。

超过这个值，最终材料的电子能带结构会出现缺陷，导致拓扑绝缘特性不完整。

“降温速率是多少？”

林凡快步走到控制台。

“每分钟两度，己经是设备极限了。”

“不够。”

林凡调出反应动力学数据，大脑在【高级能源理论基础】加持下飞速计算，“这个前驱体体系的玻璃化转变温度在零下一百六十三度左右。

我们现在在零下一百五十度，离相变点太近，热扰动太大。

必须降到零下一百七十度，让系统进入深度玻璃态，才能抑制晶格畸变。”

“可是林顾问，”

赵教授闻声赶来，眼镜片上还沾着些微的粉末，“这套低温系统的设计极限就是零下一百六十度。

再低的话，制冷剂循环会失效，而且反应器材质在极低温下可能会脆裂。”

实验室里安静了一瞬。

所有人都知道这意味着什么——如果这一步失败，第一批二十西小时制备的前驱体将全部报废。

而重新制备需要至少十八个小时。

倒计时：27天18小时22分。

时间在一分一秒流逝。

林凡闭上眼睛。

脑海中，完整的T-I3ES图纸浮现，第三步的每一个细节都在放大。

郑工的笔记里提到过这个问题：“低温相变诱导的关键在于越过能量势垒，而非缓慢逼近。”

能量势垒……越过……

他突然睁开眼睛：“如果我们不降温呢？”

“什么？”

赵教授一愣。

“如果我们不试图缓慢降温抑制畸变，”

林凡的语速加快，“而是让系统快速越过相变点，在极短时间内完成从液态到玻璃态的转变——用‘淬火’代替‘退火’。”

“淬火？”