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第461章 刻在硅片上的反击（第2页）

那是林向阳在去贵州前留下的指令——“备胎计划·供应链篇（终极版）”

。

“通知采购部。”

苏清河按下内线电话，声音冷静得令人心安。

“启动b计划。

所有美系材料供应商，立刻剔除。

抛光液切换为‘安集科技’；特种气体切换为‘华特气体’。”

“苏总，那些国产材料还在测试阶段，良率不稳定啊……”

采购总监在电话里犹豫。

“没时间测试了。

上产线，边用边调！”

苏清河斩钉截铁，“另外，通知梁国栋的芯片设计团队。

彻底切断与外界的一切网络连接。”

……贵州黔南深山，“夸父”

基地。

地下400米，1号光束线洁净室。

外界的惊涛骇浪，被厚重的岩层隔绝在外。

这里只有机器的轰鸣和令人窒息的紧张感。

虽然“夸父”

光源已经点亮，那束1200瓦的euv光已经就位。

但这只是万里长征的第一步。

要把光变成芯片，中间还隔着一道天堑——光刻工艺。

此时，梁国栋教授正趴在光刻工作站的观察窗前，眼睛里布满了血丝。

“第53次曝光失败。”

操作员的声音带着绝望，“梁博，光强太大了！

ssb光源的功率是asl的五倍。

这简直就是火焰喷射器！

国产光刻胶的耐热性不够，光还没来得及感光，直接就碳化了！

晶圆表面全是烧焦的痕迹。”

梁国栋痛苦地抓着头发。

以前用的光刻机，他们嫌光源功率小（250瓦），曝光慢，产能低。

现在林向阳搞出了个ssb加速器，功率直接干到了1200瓦。

这就像是用高压水枪去给花浇水，花直接被打烂了。

“减弱光强？”

助手建议，“加衰减片？”

“不行！”

梁国栋断然拒绝，“ssb的优势就是大功率、高吞吐量。

如果我们把光减弱了，那就失去了弯道超车的意义。

必须让材料去适应光！”