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第647章 电源短路测试失败（第1页）

几分钟后，新的结果出来了。

修正后的模型，很好地复现了测量数据中观察到的分布展宽现象，并且预测，这种波动虽然存在，但由于后续的源漏注入和退火工艺具有一定的“修复”

和“平均”

效应，对最终晶体管性能的影响将是可控的，不会导致大面积失效。

“立刻将这个分析结论和模型修正建议，反馈给晶圆厂工艺整合工程师，建议他们在后续批次中，加强对前道表面状态的监控，并微调侧墙刻蚀的工艺参数，向更保守的方向偏移一点，以吸收这种波动。”

祁同伟果断下令。

命令被迅速执行。

紧张的气氛稍有缓解，但所有人的神经依然紧绷。

大家都知道，这只是一个预演，越到后面的工序越复杂，可能出现的异常也越多。

流片进入第120小时，后端金属互联开始。

这是另一个容易“爆雷”

的区域。

金属线的宽度、厚度、侧壁角度，层间介质（ild）的厚度和均匀性，通孔（via）的填充质量，以及随之而来的寄生电阻、电容、电迁移可靠性问题……任何一个环节出问题，都可能导致芯片功能失效或性能不达标。

数据流变得更加汹涌。

金属一的线宽均匀性、通孔一的接触电阻分布、层间介质的击穿电压抽样测试……成千上万个数据点涌来，被分析软件自动分类、标记、报警。

指挥大厅里，键盘敲击声、低声讨论声、偶尔响起的电话铃声，交织成一片。

工程师们瞪大眼睛，不放过任何一个可疑的数据点。

罗斯塔姆和王老院士几乎住在了指挥台前，咖啡一杯接一杯，困极了就在旁边的简易折叠床上和衣小憩一两个小时，然后立刻被叫醒处理新出现的问题。

祁同伟同样寸步不离。

他不仅关注技术细节，更关注整个项目的节奏、团队的状态、以及与晶圆厂的沟通协调。

他需要做出无数决策：某个参数轻微超标，是放行还是要求晶圆厂调整工艺？某个测试结构的初步结果不理想，是否需要中断流片进行检查？与晶圆厂的技术支持团队就某个工艺细节产生分歧，该如何斡旋定夺？压力如同实质，沉甸甸地压在每个人的肩头。

但没有人退缩。

因为所有人都清楚，他们正在创造历史，正在试图打破那道看似坚不可摧的技术壁垒。

第144小时，倒计时归零。

合作晶圆厂传来消息：第一批次二十片晶圆的所有前端和后端工序全部完成，已完成初步划片，正在进行最终的电学测试（faltest）筛选，合格裸片将于24小时内通过特殊渠道紧急空运至汉东。

最艰难、最不可控的制造阶段，终于结束了。

接下来，将是真刀真枪的性能测试和可靠性验证。

指挥大厅里爆发出压抑已久的、低沉的欢呼声和掌声。