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第657章 看到了八十纳米世界的曙光（第1页）

1996年12月24日，凌晨，汉东省京州市，“汉芯”

产业园区地下绝密试验线。

没有圣诞节的温馨，没有平安夜的祥和。

只有深入地下三十米、厚重钢筋混凝土掩体也无法完全隔绝的低沉嗡鸣，那是高精密设备在极限状态下运行的声音，混合着特种气体管道输送的嘶嘶声，以及一种近乎凝固的、全神贯注的寂静。

试验线洁净等级最高的光刻间内，灯火通明。

空气中弥漫着极度洁净却又因大量设备散热而略显沉闷的气息。

穿着“兔宝宝”

全封闭洁净服的工程师们，如同一个个臃肿的宇航员，在巨大的尼康i-le光刻机、经过特殊改装的刻蚀和沉积设备之间无声地移动。

他们的面罩上凝结着细密的水汽，但眼神却透过防护镜，锐利地锁定在每一块监控屏幕上。

这是代号“破晓”

行动的最终阶段，首片采用“极限压榨”

方案制造的八十纳米制程sra（静态随机存储器）测试芯片的最终流片。

sra结构相对规整，是验证新工艺节点的理想“试金石”

。

这块芯片的容量不大，仅1bit（128kb），但在此时此刻，它承载的重量远超其物理尺寸。

控制室内，气氛紧张到了临界点。

祁同伟、罗斯塔姆、王定国院士、冯建国等核心成员围坐在中央监控台前，无人说话，只有指尖无意识敲击桌面的轻微声响和略显粗重的呼吸。

大屏幕上，最后一道金属互联层的工艺进度条，正以毫米为单位，极其缓慢地向前爬行。

过去六个月，如同在地狱中行走。

“极限压榨”

方案将两台老旧的尼康i-le光刻机推到了崩溃的边缘。

为了用365n光源“模拟”

出接近80n的图形，罗斯塔姆团队开发的计算光刻（opcso）算法复杂到了令人发指的程度，每次曝光前，掩模数据都需要在超算上运行数小时进行“预扭曲”

。

双重曝光、三重曝光带来了噩梦般的套刻精度和工艺叠加问题。

冯建国带领的工艺团队，在报废了价值数千万的试验晶圆后，才勉强摸索出一套脆弱但尚可运行的“土法”

工艺包，其对环境波动、材料批次、甚至操作员手法的敏感度，都达到了变态的程度。

“深根固本”

线提供的特种光刻胶和抛光液，性能勉强达标，但批次稳定性依然堪忧。

“夸父”

项目提供的深紫外（duv）光源测试数据，为算法优化提供了关键输入，但自研光刻机距离实用还遥遥无期。