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陈院士（第2页）

然后开始有人交头接耳。

沈默能听到一些关键词：“750°C”

“90%覆盖率”

“真的假的”

“重复过了吗”

。

他没有停下来，继续翻页。

第三页是重复性数据——七次重复实验的结果统计表，平均值、标准差、置信区间，该有的都有。

第四页是机理分析——原子力显微镜图像显示氧化铝衬底表面的台阶边缘诱导成核，结合XRD和XPS数据，初步解释了缺陷工程的微观机制。

第五页是下一步计划——脉冲偏压PECVD方案，目标是将生长温度降至600°C以下。

第六页——结论。

沈默讲完最后一句，退到一边，等着提问。

会议室里沉默了三秒。

然后陈院士开口了，声音不大，但全场安静得只能听到他的声音：

“小沈，你过来。”

沈默走过去，站在陈院士面前。

陈院士抬头看着他，那双清亮的眼睛在距离不到一米的地方，带着一种让沈默说不出的压迫感——不是什么威压，而是一个在学术战场上厮杀了五十年的老兵对后辈的审视。

“你这些数据，都是你这一个礼拜做出来的？”

“是的。”

“你是硕士三年级？”

“是。”

陈院士沉默了几秒，然后点了点头。

“好。”

他转头看向周教授，“老周，你这个学生，不错。”

周教授笑着点头。

陈院士又看向沈默：“小沈，我问你三个问题。”

“您问。”

“第一，750°C的数据，你重复了多少次？”

“七次，六次成功，一次失败。

失败原因是衬底污染。”

“第二，750°C再往下降，你凭什么觉得PECVD行？”

沈默把PPT翻回第五页：“脉冲偏压方案。

传统PECVD的问题是连续等离子体轰击破坏晶格，我们改用纳秒级脉冲，在碳原子到达衬底的瞬间产生等离子体辅助裂解，然后马上关掉。

这样既能降低碳源裂解温度，又能避免过度轰击。”

“理论基础呢？”

“我查了PECVD、ICP-CVD、远程等离子体三个方向大约四十篇文献，目前没有人试过纳秒脉冲偏压的方案。

但等离子体物理的基本原理支持这个方向——脉冲占空比控制在5%以下，离子轰击能量可以降低一个数量级。”

陈院士听完，没有点评，继续问第三个问题：